東京地判平成25年(ワ)3360【非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット】＜長谷川＞

★「不純物」の許容範囲は、発明の効果を妨げない範囲

*「全粒子」⇒全ての粒子が、充足必須

「構成要件１－Ｂは…非磁性材の全粒子が粗大粒子（…）でないことを要件とする」

（判旨抜粋）

【請求項１】…研磨面で観察される組織の非磁性材の全粒子は，非磁性材料粒子内の任意点を中心に形成した半径２μｍの全ての仮想円よりも小さいか，又は該仮想円と，強磁性材と非磁性材の界面との間で，少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子とからなり…

構成要件１－Ｂは…非磁性材の全粒子が粗大粒子（半径２μｍの仮想円を内包する大きさの粒子）でないことを要件とするところ，鑑定嘱託の結果及び当事者の主張によれば，被告製品１には２回目の研磨後の研磨面に少なくとも４か所の粗大粒子が存在する…。

※本稿の内容は，一般的な情報を提供するものであり，法律上の助言を含みません。
執筆：弁護士・弁理士　高石秀樹（第二東京弁護士会）
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