令和1年(行ケ)10100＜鶴岡＞ 〔窒化物半導体積層体〕
*周知技術の上位概念化の限界
「半導体積層体構造や技術的意義を捨象し 上位概念化して，…駆動電圧を低くする という課題を解決するために…Aｌの比率を 傾斜させた組成傾斜層を採用することを導く ことは，後知恵…」
（判旨抜粋）
引用文献４から６において，組成傾斜層の技術は，それぞれの素子を構成する特定の半導体積層体構造の一部として，異なる技術的意義のもとに採用されているといえるから，各引用文献に記載された事項から，半導体積層体構造や技術的意義を捨象し上位概念化して，半導体発光素子の技術分野において，その駆動電圧を低くするという課題を解決するために，ＡｌＧａＮ層のＡｌの比率を傾斜させた組成傾斜層を採用すること（本件技術）を導くことは，後知恵に基づく議論といわざるを得ず，これを周知の技術的事項であると認めることはできない。
https://www.courts.go.jp/app/files/hanrei_jp/342/089342_hanrei.pdf
※本稿の内容は，一般的な情報を提供するものであり，法律上の助言を含みません。
執筆：弁護士・弁理士 高石秀樹（第二東京弁護士会）
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