平成29年(行ケ)10062「半導体デバイス」＜高部＞

進歩性判断における「付加」と「置換」

 

②主引例「A+C」、副引例「B」

⇒CをBに置換

 

平成29年(行ケ)10062「半導体デバイス」＜高部＞

 

引用発明の構成は不明でなく、本件発明と異なる構成に特定される。

⇒引用発明の構成が特定されると、置換する動機付けが必要。

⇒進歩性〇

 

Cf.H28(行ケ)10061

 

 

（判旨抜粋）

…引用例には，「…」との発明（…）が記載されているものと認められる。よってＳｉＣＭＯＳＦＥＴの一の電極とＳｉＣショットキーダイオードの一方の電極がいずれも不明であるとした本件決定の認定には，誤りがあるというべきである。…

そして，引用例には，ＩＧＢＴ４とダイオード５との組合せを，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴとショットキーバリアダイオードとの組合せに置き換える場合，置換えの前後で動作を異ならせる旨の記載や示唆はない。

また，引用発明Ａは…を課題とし，…を目的とする発明であって（…），この目的を達成することと，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴの型や並列接続するショットキーバリアダイオードの接続方向を変更することは，無関係である。したがって，当業者が，引用発明Ａにおいて，上記目的を達成するために，「前記ＰＮ接合ダイオードの一の電極」及び「前記ショットキーバリアダイオードの一方の電極」をカソード電極からアノード電極に変更する動機付けがあるとはいえないから，相違点１’に係る本件発明１の構成を当事者が容易に想到できたものであるとは認められない。

 

http://www.ip.courts.go.jp/app/files/hanrei_jp/598/087598_hanrei.pdf

 

※本稿の内容は，一般的な情報を提供するものであり，法律上の助言を含みません。
執筆：弁護士・弁理士　高石秀樹（第二東京弁護士会）
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